- Просмотров: 1 393
Рендеры демонстрируют Samsung Galaxy A8s с вырезом в экране
Речь пойдет о концепт-рендерах, которые были созданы на основе слухов о смартфоне Samsung Galaxy A8s. Слухи распространяет тот самый источник, что рассказал о Galaxy A9 2018 года за месяц до его официального выхода, так что мы считаем, что к ним стоит прислушаться. На изображениях показан смартфон с экраном Infinity-O, то есть с круглым вырезом в экране. Этот вырез в случае с A8s находится в левом верхнем углу. Никаких других отверстий на передней панели нет, из-за чего выглядит он впечатляюще.
Размещение камеры в дисплее позволяет сделать рамку сверху очень тонкой, и эффект от этого очень положительный. Рендеры показали асимметрию: верхняя рамка заметно тоньше нижней, но ничего критичного в этом нет. Слухи предполагают, что данная модель получит тройную основную камеру, но вот технические характеристики до сегодняшнего дня остаются неизвестными. Похоже на то, что сканер отпечатков пальцев будет размещен сзади Galaxy A8s, а не спереди.
Вероятно, устройство будет построено на базе 8-ядерного решения Snapdragon 710 от Qualcomm, а объем оперативной памяти составит 6 ГБ. Учитывая это, производитель установит здесь флеш-накопитель, по крайней мере, на 64 ГБ, и никого не удивит выпуск более дорогого варианта с 128 ГБ памяти.
Размещение камеры в дисплее позволяет сделать рамку сверху очень тонкой, и эффект от этого очень положительный. Рендеры показали асимметрию: верхняя рамка заметно тоньше нижней, но ничего критичного в этом нет. Слухи предполагают, что данная модель получит тройную основную камеру, но вот технические характеристики до сегодняшнего дня остаются неизвестными. Похоже на то, что сканер отпечатков пальцев будет размещен сзади Galaxy A8s, а не спереди.
Вероятно, устройство будет построено на базе 8-ядерного решения Snapdragon 710 от Qualcomm, а объем оперативной памяти составит 6 ГБ. Учитывая это, производитель установит здесь флеш-накопитель, по крайней мере, на 64 ГБ, и никого не удивит выпуск более дорогого варианта с 128 ГБ памяти.