Qualcomm и Samsung подтвердили, что Snapdragon 835 построен на 10-нм техпроцессе

Компании Samsung и Qualcomm подтвердили информацию российского блогера Эльдара Муртазина о том, что будущий процессор Snapdragon 835 будет изготовляться по современному 10-нанометровому техпроцессу. Это решение появится на флагманских устройствах в начале 2017 года (вероятно в американской версии Galaxy S8). Snapdragon 835 позволит производителям поместить внутри устройства больше компонентов из-за того, что сам процессор станет меньше.



Представители Samsung утверждают, что их технология экономит 30% места внутри корпуса, а также она улучшает производительность чипсетов на 27% по сравнению с нынешними предложениями, которые построены по 14-нанометровому техпроцессу. Более того, потребление энергии мобильным решением снизится на 40 процентов. Странно, что следующая итерация получила имя Snapdragon 835, а не 830, хотя возможно такое, что версия с индексом 830 появится позже в качестве более бюджетного предложения.

Само собой разумеется, Samsung представит собственный чипсет под названием Exynos 8895, который также будет использовать 10-нанометровый процесс производства, хотя официальных заявлений по этому поводу пока не прозвучало.