/ / Kirin 650: характеристики и тесты

HiSilicon Kirin 650

HiSilicon Kirin 650

HiSilicon Kirin 650 - восьмиядерный чипсет, который был анонсирован 13 января 2016 года и изготовляется по 16-нанометровому техпроцессу. Он имеет 4 ядра Cortex-A53 на 2000 МГц и 4 ядра Cortex-A53 на 1700 МГц.

Производительность
19
Энергоэффективность
47

Тесты в бенчмарках

Результаты тестов в бенчмарках Geekbench, AnTuTu и других
AnTuTu Benchmark 7
55712
Geekbench (одноядерный) 4.3
789
Geekbench (многоядерный) 4.3
3371

Технические характеристики

Подробные характеристики чипа Кирин 650 c графикой Mali-T830 MP2

Центральный процессор

Архитектура 4x 2 ГГц – Cortex-A53
4x 1.7 ГГц – Cortex-A53
Количество ядер 8
Частота 2000 МГц
Набор инструкций ARMv8-A
Техпроцесс 16 нм
Количество транзисторов 4 млрд.

Графический ускоритель

GPU Mali-T830 MP2
Архитектура Midgard
Частота GPU 900 МГц
Ядер 2
FLOPS 40 Гфлопс
Версия Vulcan 1.0
Версия OpenCL 1.2
Версия DirectX 11

Оперативная память

Тип памяти LPDDR3
Частота памяти 933 МГц
Шина 2x 32 Бит
Объем До 4 ГБ

Мультимедиа (ISP)

Нейронный процессор Нет
Тип накопителя eMMC 5.1
Макс. разрешение дисплея 1920 x 1200
Макс. разрешение фотокамеры 1x 21МП
Запись видео 1K при 60FPS
Воспроизведение видео 1080p при 60FPS
Поддержка кодеков H.264, H.265
Аудио AIFF, CAF, MP3, MP4, WAV

Связь и сети

Поддержка 4G LTE Cat. 6
Поддержка 5G Нет
Скорость скачивания До 300 Мбит/с
Скорость загрузки До 50 Мбит/с
Wi-Fi 4
Bluetooth 4.1
Навигация GPS, GLONASS

Общая информация

Дата анонса Январь 2016 года
Класс Средний класс

Комментарии